一、申报基本条件
（1）申报单位应从事相关产业领域的技术研发，具备良好的产学研合作基础；拥有一批能够带动产业发展的高水平技术研发成果和技术储备，部分成果已成功实现产业化；能为省工程研究中心的建设和运行提供资金支持。
（2）工程研究中心建设项目要有明确可行的发展思路、研发任务和建设目标；建设方案合理，管理和运行机制规范；项目要有新增固定资产投资（建筑工程或新购置设备），建设期一般不超过3年。
（3）在本行业具有较强的影响力，研发人员总数不少于50人，其中专职研发人员不少于30人。
（4）研发设备原值：设计类不少于1000万元，制造类不少于3000万元，
（5）研发场地不少于2000平方米。
（6）主持（承担）过省级以上科研计划或主持（参与）过行业标准制定。
（7）在深圳市发改委不存在逾期未验收的已获资助项目。
（8）已在市发改委获批市级工程研究中心的，本次不得申报同一领域的省级工程研究中心。
 
二、申报领域
重点资助半导体及集成电路以下领域：
1. 芯片设计。
（1）围绕高端芯片研发设计需要，建设芯片设计工具软件研发和测试平台，开展数字电路EDA工具核心技术攻关，推动模拟或数模混合电路EDA工具软件实现设计全覆盖，开展EDA云上架构和应用AI技术研发，开展TCAD、封装EDA工具开发，以及底层算法与机构技术的研发，提升自主研发工具软件国产化水平，增强对高端芯片设计的服务功能。
（2）面向重点领域高端通用芯片的市场需求，建设芯片设计研发、模拟仿真和测试平台，开展射频芯片（含毫米波芯片）、第三代半导体芯片、传感器芯片、基带芯片、光通信芯片、显示驱动芯片、物联网智能硬件核心芯片、车规级AI芯片等专用芯片设计，探索开展太赫兹芯片研发，提升高端芯片设计能力和工程化验证能力。
2.芯片工艺制程。围绕高端芯片生产制造关键环节问题，建设芯片生产制造关键技术研发、中试和测试平台，开展FinFET特色工艺制程、先进工艺制程开发，探索FDSOI等新技术路径开发，提升芯片生产制造技术水平，满足射频芯片、显示驱动等产品生产制造需求。
3.先进封装测试。围绕提升芯片封装测试竞争力，建设先进封装测试研发和工程化验证平台，开展晶圆级封装、系统级封装、凸块、倒装、硅通孔、面板级扇出型封装、三维封装、真空封装等先进封装技术，以及脉冲序列测试、MEMS探针、IC集成探针卡等先进晶圆级测试技术开发，开展超高速光通信核心器件与模块封测技术开发，为封装测试工艺技术升级和产能提升提供重要研发平台支撑。
4.关键材料与器件。针对半导体及集成电路产业关键材料及器件薄弱环节，建设关键材料与器件研发及工程化验证平台，开展氮化镓、碳化硅、氧化锌、氧化镓等第三代半导体材料以及化合物半导体器件和模块的开发，开展氟聚酰亚胺、光刻胶等电子化学品材料以及纳米级陶瓷粉体、微波陶瓷粉体等元器件关键材料研发，着力提升关键材料与器件在芯片生产制造中的市场应用水平。
5.关键装备与零部件。针对芯片生产制造中关键设备及零部件短板问题，建设芯片生产制造关键设备及零部件研发及工程化验证平台，开展光学和电子束光刻机关键部件、先进封装技术专用设备研发，开展缺陷检测设备、激光加工设备、半导体器件巨量组装设备等整机设备研发，以及高精密陶瓷零部件、射频电源、高速高清投影镜头等设备关键零部件研发，推动关键设备及零部件在芯片生产制造中的应用。　　6.前沿技术综合创新。面向半导体及集成电路产业未来发展趋势，建设新一代半导体及集成电路综合研发平台，围绕工具软件、芯片架构、芯片设计、特色工艺制程、半导体新材料、生产设备核心部件等环节，开展关键核心技术攻关，积极开展混合集成、异构集成等技术研发，加强多种技术路线探索，加速先进适用技术在半导体及集成电路产业领域的产业化应用。
 
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